稀鹽酸回收氯化氫氣體的工業化方法眾所周知，氯化氫氣體與 H2O 形成的稀鹽酸存在有高沸點恒沸物（即其沸點高于單純的 H2O 和 氯化氫氣體），其恒沸點和恒沸組成隨壓力而變化。所以，要處理稀鹽酸使氯化氫氣體與H2O 分開，用簡單的蒸餾或汽提方法是不行的。
    目前，已工業化的方法有以下幾種。  濃硫酸萃取精餾回收氯化氫該工藝的基本原理是利用硫酸與水完全互溶且較濃的硫酸沸點高于恒沸鹽酸的沸點，使稀鹽酸中的水轉移到濃硫酸中形成相對較稀的硫酸，從而把氯化氫汽提出來，較稀的硫酸經蒸發脫水，濃縮為濃硫酸循環使用，蒸發出的水冷凝以后即為酸性廢水。  CaCl2 水溶液萃取破共沸回收氯化氫氣體即在稀鹽酸中加入氯化鈣打破其共沸點的限制，把氯化氫分離出來。與第一種方法相比，設備材質選擇有些差異（不必考慮硫酸腐蝕），廢水中只含微量鹽酸，不含硫酸。  變壓蒸餾破共沸回收氯化氫氣體基本原理是利用恒沸鹽酸組成隨壓力而變化，相對于H2O 和氯化氫氣體，恒沸鹽酸始終是高沸點組分的特點，從而達到使H2O 和氯化氫氣體分離的目的。
    對于氯化氫氣體的脫水干燥過程，對于整個氯化氫氣體生產過程都尤為重要。這不僅可以延長整套氯化氫氣體生產設備的使用壽命，也是整個生產過程中的安全保證。
    化學級氯化氫產品生產裝置于1993年投產，經山東省科委鑒定，主要用于醫藥中間體、農藥及精細化學品制造業。電子級(VLSI)氯化氫產品生產裝置于2003年投產，經北京市科委鑒定，主要用于半導體器件生產中單晶硅片的氣相拋光、外延基座腐蝕及硬質合金制造。5.0N電子級(VLSI)氯化氫產品分別經國家標準物質研究中心和信息產業部專用材料質量監督檢驗中心抽樣檢驗，純度大于99.999%，總雜質含量小于5ppm，產品性能指標與國 際品牌相當。5.0N電子級(VLSI)氯化氫產品經國內外多家半導體重點企業連續大量在單晶硅片氣相拋光和外延基座腐蝕工藝中廣泛使用，制得的器件產品質量與國際知名品牌相當。超純氯化氫產品生產裝置于2005年投產，目前處于試銷階段，主要用作標準物質和科學研究。